功能描述：MOSFET N-CH 200V 18A TO220

制造商：global power technologies group

系列：-

包装：管件

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：18A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 9A， 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：18nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：950pF @ 25V

功率 - 最大值：94W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220

标准包装：1

GP1M018A020PG

GP1M020A050N

GP1M020A060M

GP1M020A060N

GP1M023A050N

GP1S092HCPI

GP1S092HCPI6

GP1S092HCPIF

GP1S092HCPKF

GP1S093HCZ0F